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石墨烯的能带调控

2020-08-26    点击:

报告题目:石墨烯的能带调控

报 告 人:吕劲,北京大学

报告时间:4月19日(周四)16:00

报告地点:郑裕彤讲堂

报告摘要:随着物理微裂解生产石墨烯的简单方法在2004 年的出现(Science 306, 666(2004)),真实的二维单原子层材料第一次出现在人们面前。石墨烯立即成为物理化学和材料科学研究的热点。石墨烯具有良好的导电(悬浮的石墨烯载流子迁移率可比硅高两个数量级,达到200000 cm2/Vs,在SiO2衬底上的石墨烯载流子迁移率也比硅高一个数量级)和导热性能,可制成低功耗,快切换的晶体管,成为传统的硅基电路的有力挑战者。石墨烯本身是零能隙的,直接做场效应管室温开关比不超过10,远不能满足实际器件的需要。打开石墨烯的能隙同时维持高的载流子迁移率成为石墨烯研究领域最为重要的问题之一。本报告将介绍石墨烯的能隙调控的研究进展。