报告题目：2020年之后的电子学：碳纳米管电子学的机遇和挑战

报 告 人：彭练矛，北京大学电子学系

报告时间：11月16日(周五) 下午3：30 – 5：30

报告地点：清华—富士康纳米科技研究中心四楼报告厅

报告摘要：信息技术的基础是微电子集成电路的发展。微电子始于40年前美国Bell实验室肖特里、巴丁等人关于晶体管的发明。之后微电子特别是硅基CMOS集成电路技术在硅谷等地得到了奇迹般的发展，造就了包括Intel在内的众多顶级高科技公司，为美国近40年的经济繁荣做出了不可磨灭的功绩。然而传统硅基CMOS技术在2020年左右将达到其性能极限，目前即将面临重大选择。特别是高k和纳米材料的发展引发了是否可以放弃硅材料的讨论。虽然目前还没有关于后摩尔时代CMOS技术如何发展的定论，但最新的关于碳纳米管和半导体纳米线的研究表明我们可以利用一维纳米材料特殊的性能，包括非平衡、量子、弹道输运等特点，绕过目前纳电子集成电路所面临的极为困难的技术问题，如器件加工精度，掺杂的数目和稳定性的控制等困难，制备出性能均匀的简单CMOS电路。这些进展为进一步的规模集成基于纳米材料的纳电子电路奠定了基础。本报告将简单地回顾一下基于碳纳米管的CMOS技术的发展，目前所面临的困难，以及可能的解决途径以及展望。